什么是寄生二极管_什么是寄生花

武汉楚兴申请图像传感器及其制造方法专利,降低寄生电容,提高器件性能光吸收区中设置有光电二极管和浮动扩散区,相邻的光吸收区之间设置有浅沟槽隔离结构,接触结构连接浮动扩散区,接触结构贯穿器件层,且向第还有呢? 这样同一个接触结构可以通过端部连接不同浮动扩散区,使多个光吸收区的浮动扩散区可以共用接触结构,减少了接触结构的数量,降低寄生电容还有呢?

...二极管的平面栅型MOSFET专利,内置肖特基二极管能有效减小寄生...伪栅极旁的p型基区上方形成肖特基接触区,与源极为肖特基接触,以此屏蔽漏极高电场减少泄漏电流。内置肖特基二极管能有效减小寄生PN结体二极管的少数载流子注入,使MOSFET可以获得优异的反向恢复特性。此外,伪栅极在反向导通时在栅介质层下表面吸引电子,形成沟道,帮助增大等会说。

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三星医疗获得实用新型专利授权:“抗干扰的负载检测电路”该抗干扰的负载检测电路存在寄生电容,负载检测电路包括第一二极管及第二二极管,第一二极管的正极连接火线,第一二极管的负极与寄生电容的一端连接,且第一二极管的负极用于连接负载的输入端;第二二极管的正极与寄生电容的另一端连接,且第二二极管的正极用于连接负载的输出端好了吧!

台舟电子取得二极管单基岛八脚封装结构专利,能有效减小寄生电容在单基岛上封装一颗多路集成ESD静电保护晶圆,单基岛封装方式引线更合理简单,能有效减小寄生电容,高频衰减小,改善了多路TVS和ESD静电保护二极管封装技术问题,提高生产良品率和效率,减少因为封装所造成的寄生参数影响元件高频性能,本实用新型无需多基岛,封装选择通用,晶圆后面会介绍。

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...上避免了寄生 NPN 结构的开启导致的雪崩耐量降低,提高了抗浪涌能力解决了现有技术中超结MOSFET 器件雪崩击穿时寄生BJT 引起的二次击穿效应的问题。本发明具体技术方案为,通过在超结高压器件的trench Gate 之间增加了并联的二极管结构,且此二极管结构采用了逆向的浓度掺杂分布,形成两个间隔的P+区以弱化轻掺杂P 型区的电场。本发明改善还有呢?

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艾为电子取得防反接功能电源转换电路专利,实现防反接且耐负压,保护...第一寄生二极管和第三寄生二极管正向导通,第一开关管的控制端电压和第三开关管的控制端电压均会跟随输入电压变负,当输入电压小于第四开关管的阈值电压的负值时,第三开关管和第四开关管导通,则将第二开关管的控制端和电压输入端短接,当第二开关管的控制端电压与其第一端电好了吧!

帝奥微申请超低漏电ESD保护电路专利,实现了超低漏电要求金融界2024年1月6日消息,据国家知识产权局公告,江苏帝奥微电子股份有限公司申请一项名为“一种超低漏电ESD保护电路“公开号CN117353263A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本发明公开了一种超低漏电ESD保护电路,m个抑制对地寄生三极管的隔离N+/P阱ESD二极管D是什么。

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