什么是寄生电阻_什么是寄人篱下-上海傲慕捷网络科技有限公司

汇顶科技申请寄生电阻检测电路及寄生电阻检测方法专利,能有效确定...金融界2023年12月27日消息，据国家知识产权局公告，深圳市汇顶科技股份有限公司申请一项名为“寄生电阻检测电路及寄生电阻检测方法“公开号CN117289025A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示，本申请提供一种寄生电阻检测电路及寄生电阻检测方法。该寄生电阻检测电路用于等我继续说。

...取得级联功率器件的嵌入式电路封装结构专利,显著降低寄生电感和电阻用于将所述第一功率器件与第二功率器件电连接的至少部分电连接结构采用设置在所述封装基板内的金属布线结构。相较于现有技术，本实用新型通过采用嵌入式电路封装方式(ECP)将构建级联电路的多个功率器件封装在一起，可显著降低寄生电感和电阻，进而能够减小EMI,提高开关速度还有呢？

...了谐振法易受辅助电阻寄生电感、信号源测试导引线电感影响的缺点在本空心线圈等效电容的测量方法中，依据RLC串联电路零输入响应的欠阻尼振荡原理，在待测空心线圈发生欠阻尼振荡后，测量和计算得到待测空心线圈的等效电容，避免了谐振法易受辅助电阻寄生电感、信号源测试导引线电感影响的缺点，也不需要在一次侧施加大电流激励信号。本文源说完了。

╯ω╰

天合光能申请太阳能电池专利,降低了寄生吸收和接触电阻,提高了效率第一多晶硅掺杂层和第三多晶硅掺杂层具有第一导电类型，且第一多晶硅掺杂层的掺杂浓度小于第三多晶硅掺杂层的掺杂浓度，第二多晶硅掺杂层和第四多晶硅掺杂层具有第二导电类型，且第二多晶硅掺杂层的掺杂浓度小于第四多晶硅掺杂层的掺杂浓度。降低了寄生吸收和接触电阻，提高还有呢？

...确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法专利,利用驱动器固有的寄生...涉及一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法，步骤包括：S1、确定充电电量；S2、计算等效寄生电容；S3、计算驱动电阻值。本方法可以利用驱动器固有的寄生电容和使用场合的设计电压的改变量快速地求出最优化的驱动电阻值，功率大部分并不损耗在驱动电阻上，又避免了尖峰电后面会介绍。

...的线中屏蔽栅专利,金属电阻器可以有效地减小半导体器件的寄生电容在IC中的MOL层中制造一个或多个金属电阻器来减少半导体区域中的栅极到漏极寄生电容。通过在MOL层中制造金属电阻器，金属电阻器可以被定位为靠近半导体器件，以在不增加当前制造工艺的成本或缺陷的情况下，更有效地减小半导体器件的寄生电容。当前的制造工艺可以用于在MO后面会介绍。

∩▽∩

...单元阵列及其制备方法专利,降低了寄生电容,还可以减小晶体管的电阻凸起部的外侧壁与介质层之间形成侧沟；填孔绝缘层，覆盖字线实体层的顶端及侧沟的顶端，将侧沟封闭形成空气腔。通过上述方案，本发明通过沉积及湿法刻蚀工艺制备晶体管结构，形成具有绝缘侧沟的晶体管，改变了电容的中间介质层，从而降低了寄生电容，还可以减小晶体管的电阻。本文后面会介绍。

●▂●

...功率和在高电阻率和低电阻率状态之间的快速切换以及减小的寄生电容层的有源区。通过控制施加到第一电极的电压和OTS层内由此产生的加热，相变材料层的有源区可以选择性地在高电阻率状态和低电阻率状态之间转换。根据各种实施例的PCM开关可以实现低功率和在高电阻率和低电阻率状态之间的快速切换以及减小的寄生电容。本文源自金融界

＋▽＋

为什么在MOS管,GS端和G端串联一个电阻?这是实际应用中很常见的一个电路。有没有小伙伴知道，电路中两个电阻具体的作用是什么？我们围绕以下两个问题来解答：一、为什么在MOS管GS并联电阻(R1)? 二、为什么在MOS管G极串联电阻？(R2) 解决问题一：GS之间并联的电阻作用：用来释放寄生电容的电流原因：与MOS管的寄说完了。

ˇ▽ˇ

德州仪器入局氮化镓快充市场!氮化镓芯片还具有低导通电阻、低寄生效应和高温稳定性等特点，能够进一步提高电力电子设备的性能和可靠性。现如今，氮化镓已被广泛应用是什么。带来新的产品，为我们提供更优质、更可靠的解决方案，助力氮化镓技术的进步和创新。查看文章精彩评论，请前往什么值得买进行阅读互动

⊙▂⊙

原创文章，作者：上海傲慕捷网络科技有限公司，如若转载，请注明出处：http://geyewr.cn/46f0nf9f.html

什么是寄生电阻_什么是寄人篱下

相关推荐

发表评论