器字是什么结构的字_器字是什么结构

长鑫存储取得半导体储存器结构及其字线制造方法专利,采用新技术...长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体储存器结构及其字线制造方法“授权公告号CN110534480B,申请日期为2018年5月。专利摘要显示,本发明提供一种半导体储存器结构及其字线制造方法,该制造方法在衬底中制备出多重式的字线凹槽,字线凹槽由深度不同的第一字线凹槽与是什么。

...申请超长指令处理的指令发射方法及发射装置专利,具有硬件结构...金融界2024年10月17日消息,国家知识产权局信息显示,湖南毂梁微电子有限公司申请一项名为“超长指令字处理器的指令发射方法及发射装置小发猫。 步骤S4:对步骤S3每条激活处理的指令进行运算单元选择,将指令输出至对应的运算部件。该装置用来实施上述方法。本发明具有硬件结构简单小发猫。

长江存储申请制作三维存储器的字线连接区的方法及三维存储器专利,...长江存储科技有限责任公司申请一项名为“制作三维存储器的字线连接区的方法及三维存储器”的专利,公开号CN 118785714 A,申请日期为2018年6月。专利摘要显示,本发明涉及一种形成三维存储器的字线连接区的方法及三维存储器。该方法包括以下步骤:提供半导体结构,半导体结说完了。

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长鑫存储取得半导体储存器的晶体管结构及其制造方法专利,降低了...长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体储存器的晶体管结构及其制造方法“授权公告号CN110299324B,申请日期为2018年3月。专利摘要显示,本发明提出一种半导体储存器的晶体管结构及其制造方法,该方法包括:在衬底上形成有源区及与之相交的字线;在两个字线之间形成接触等会说。

长江存储申请用于三维存储器装置的阶梯连接结构专利,可提升存储器...一种存储器装置可以包括第一区域中的沟道结构。存储器装置还可以包括在邻接第一区域的第二区域中的多个字线腔体结构。多个字线腔体结构可以沿着第一方向延伸。字线腔体结构中的每一个字线腔体结构可以包括沿着垂直于第一方向的第二方向在字线腔体结构的第一侧中的第一后面会介绍。

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长鑫存储申请存储器结构、半导体结构及其制备方法专利,能够避免...金融界2024年2月9日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“存储器结构、半导体结构及其制备方法“公开号CN等我继续说。 并穿过所述隔离结构及所述有源区;所述字线结构位于所述屏蔽层的上方。本申请提供的半导体结构中,字线结构的底部设置有浮置(Floating)的等我继续说。

...器件结构及其制作方法专利,降低了工艺复杂性并降低了接触结构的...本发明提供一种半导体存储器件结构及其制作方法,存储器件结构包括半导体衬底、字线结构及接触结构,半导体衬底包括有源区及沟槽隔离结构,字线结构形成于所述导体衬底中与有源区交叉,任一字线结构的一端具有长端尾部,其另一端具有短端尾部,且相邻的两所述字线结构的长端尾部后面会介绍。

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金卡智能取得一种基于电容量判断字轮位置的计数结构专利,具有无...尤其涉及一种基于电容量判断字轮位置的计数结构。它包括计数器及控制器,计数器包括计数器架及设置在计数器架上的电路板,以及设置在计数器架上的字轮,电路板包括第一电路板及与字轮对应设置的信号板,信号板为多个,多个信号板均与第一电路板电连接,字轮上设有第一导电体,信号等会说。

长鑫存储申请半导体结构以及存储器专利,有利于降低半导体结构的...位于相邻两个存储子块之间的字线驱动器被配置为,驱动相邻两个存储子块中一者的部分字线或相邻两个存储子块中另一者的部分字线。本公开实施例至少有利于降低字线驱动器的数量,从而有利于降低半导体结构的整体尺寸。

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长鑫存储申请半导体结构及其形成方法、存储器专利,专利技术能减少...长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、存储器“公开号CN117677183A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本公开是关于半导体技术领域,涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。本公开的半导体结构包括衬底、字线结构、导电接触结构及缓冲层,其还有呢?

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