器简化字怎么写
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华为公司申请存储器专利,简化存储器阵列结构中的互连线布局位于电容器层之上,包括第一导线、第二导线和沿列方向的位线;板线与第一导线连接,字线与第二导线连接,电容器的第一极板与对应晶体管的第二电极连接,电容器的第二极板与位线连接。本申请技术方案的板线可以将多个晶体管的电极连接在一起实现电极共享,简化了存储器阵列结构中后面会介绍。
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长鑫存储取得半导体技术专利,实施例能够简化制备相变存储器的工艺形成沿第二方向延伸的字线,并于字线的表面形成第一介质层,其中,字线部分位于衬底内;于字线的两侧分别形成源极接触结构和漏极接触结构;于后面会介绍。 于位线上方形成第二介质层。本公开实施例能够简化制备相变存储器的工艺,提高存储密度,并改善RC延迟等缺陷,提升相变存储器的性能。本文后面会介绍。
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