有什么方法可以消除不好的记忆

...能够解决相关技术中记忆多晶硅刻蚀流程中顶部保护氧化层出现倾覆...采用无掩膜刻蚀工艺刻蚀所述隔离氧化层,以形成隔离结构,所述隔离结构位于存储区中的保护氧化层以及氮化硅层靠近外围逻辑区的侧壁;采用湿法刻蚀工艺,去除所述外围逻辑区中剩余的氮化硅层。本申请通过上述方案,能够解决相关技术中记忆多晶硅刻蚀流程中,顶部的保护氧化层出现等会说。

...及信号延迟处理方法专利,实现消除数字时钟转换器电路的电源记忆效应金融界2024年5月7日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“一种锁相环及信号延迟处理方法“公开号CN117997336好了吧! 反馈时钟信号的相位确定第一输入控制码字,使得两路延迟电路分别进行信号延迟处理,实现消除数字时钟转换器电路的电源记忆效应。本文源好了吧!

o(╯□╰)o

江苏欧力特申请基于消除记忆递推最小二乘法的电池的荷电状态估计...江苏欧力特能源科技有限公司申请一项名为“基于消除记忆递推最小二乘法的电池的荷电状态估计方法”的专利,公开号CN 118938003 A,申请还有呢? 本发明可以更为准确的估计电池充放电过程中电池的实时荷电状态变化,同时对未来的状态进行估计。更准确的储能状态信息将有利于储能网络还有呢?

原创文章,作者:上海傲慕捷网络科技有限公司,如若转载,请注明出处:http://geyewr.cn/td5fljn2.html

发表评论

登录后才能评论