什么是不良导体_什么是不良资产运营

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珠海一微半导体申请不良内核的自检方法专利,实现对多核芯片内不良...金融界2024年10月17日消息,国家知识产权局信息显示,珠海一微半导体股份有限公司申请一项名为“不良内核的自检方法、多核芯片、自检系统及机器人”的专利,公开号CN 118779166 A,申请日期为2024年6月。专利摘要显示,本申请公开不良内核的自检方法、多核芯片、自检系统及小发猫。

苏州固锝取得半导体元器件不良品筛除专利,快速筛除不良品且保障...金融界2024年9月13日消息,天眼查知识产权信息显示,苏州固锝电子股份有限公司取得一项名为“半导体元器件不良品的筛除方法“授权公告号CN112397405B,申请日期为2019年8月。专利摘要显示,本发明公开一种半导体元器件不良品的筛除方法,包括以下步骤:S0:根据品质良好的玻好了吧!

苏州固锝获得发明专利授权:“半导体元器件不良品的筛除方法”证券之星消息,根据天眼查APP数据显示苏州固锝(002079)新获得一项发明专利授权,专利名为“半导体元器件不良品的筛除方法”,专利申请号为CN201910762098.7,授权日为2024年9月13日。专利摘要:本发明公开一种半导体元器件不良品的筛除方法,包括以下步骤:S0:根据品质良好的还有呢?

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华邦电子申请半导体存储器及其控制方法专利,可挽救不良位线华邦电子股份有限公司申请一项名为“半导体存储器及其控制方法”的专利,公开号CN 118942507 A,申请日期为2024 年4 月。专利摘要显示,本发明提供一种半导体存储器及其控制方法,即使当多个子阵列中任一子阵列的不良位线的数目超出所述子阵列中设置的备用位线时,也可以挽还有呢?

...绝缘膜之间和粘合层与FFC线缆的导体之间出现粘接不良和分层的现象所述粘合层的软化点温度为60‑80℃,包括缓冲层、加强层和粘合层的三个玻璃化温度不同的热熔胶层,可避免缓冲层与FFC线缆的绝缘膜之间和粘合层与FFC线缆的导体之间出现粘接不良和分层的现象,杜绝安全隐患,提出的用于FFC线缆的双面热熔胶膜的制备方法,可快速涂布,生产效率好了吧!

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江苏芯德半导体取得快速识别坐标托盘专利,可快速定位不良产品坐标金融界2024年11月13日消息,国家知识产权局信息显示,江苏芯德半导体科技股份有限公司取得一项名为“一种快速识别坐标托盘”的专利,授权还有呢? 维护成本低,可快速定位不良产品坐标,防止标错,提升作次效率,解决了自检与抽检时无法快速定位易出错与效率低问题,具有很强的实用性和广泛还有呢?

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上海积塔半导体申请喷淋头等相关专利,避免化学气相沉积中的不良问题金融界2024年10月21日消息,国家知识产权局信息显示,上海积塔半导体有限公司申请一项名为“喷淋头、化学气相沉积设备及其工作方法”的专利,公开号CN 118756116 A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本公开涉及一种喷淋头、化学气相沉积设备及其工作方法,包括:壳体,壳体说完了。

...半导体结构及其形成方法、存储器专利,专利技术能减小出现焊接不良...衬底包括邻接分布的电路互连区域和非电路互连区域,电路模块设置在电路互连区域表面,相邻的芯片单元通过电路模块电连接;导热调节层与至少一衬底接触,用于减小各衬底的表面的导热速率的差异。本公开的半导体结构可减小出现焊接不良的概率,提高产品良率。本文源自金融界

珠海一微半导体申请多核芯片的异常处理方法以及多核芯片专利,可...金融界2024 年9 月17 日消息,天眼查知识产权信息显示,珠海一微半导体股份有限公司申请一项名为“多核芯片的异常处理方法以及多核芯片是什么。 并控制每个处理内核均基于内存负载测试判断其是否为不良内核,并将不良内核排除在多核芯片所允许启动的处理内核之外,直至判断完多核芯是什么。

晶合集成申请半导体叠层结构的制造方法及半导体结构专利,可以避免...金融界2024年1月31日消息,据国家知识产权局公告,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体叠层结构的制造方法及半导体结构“.. 在与第一状态不同的其他状态下,第二金属结构与第一金属结构之间具有至少一种互联状态。可以避免第一金属结构损伤,减少芯片工艺不良的说完了。

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