什么是可变电阻_什么是可变电阻器
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三星取得可变电阻存储器件及形成可变电阻存储器件的方法专利,提供...金融界2024年4月8日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“可变电阻存储器件及形成可变电阻存储器件的方法“授权公告号CN109216402B,申请日期为2018年6月。专利摘要显示,提供了可变电阻存储器件。一种可变电阻存储器件包括导电线、以及在导电线中说完了。
三星取得制造可变电阻存储器件的方法专利,能在衬底上形成磁隧道结(...金融界2024年2月23日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“制造可变电阻存储器件的方法“授权公告号CN109786547B,申请日期为2018年11月。专利摘要显示,在一种制造可变电阻存储器件的方法中,在衬底上形成磁隧道结(MTJ)结构层。在蚀刻室中蚀刻该M是什么。
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三星申请可变电阻存储器件专利,提供可变电阻存储器件和/或包括其的...金融界2024年2月23日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“可变电阻存储器件和包括其的电子设备“公开号CN117597016A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,提供可变电阻存储器件和/或包括其的电子设备。所述可变电阻存储器件包括:包括具有大于或等还有呢?
三星取得可变电阻存储器件及其制造方法专利,可实现多个存储单元的...金融界2024年2月5日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“可变电阻存储器件及其制造方法“授权公告号CN110858623B,申请日期为2019年8月。专利摘要显示,一种可变电阻存储器件可以包括:沿第一方向延伸的多条第一导线;沿第二方向延伸的多条第二导线等会说。
维沃移动通信有限公司取得像素电路相关专利,可变电阻结构阻值与...发光元件和可变电阻结构,所述开关驱动电路包括第一开关管和子开关电路,所述可变电阻结构串联设置于所述第一开关管和所述子开关电路之间,且所述发光元件的阳极通过基于所述第一开关管、所述可变电阻结构和所述子开关电路所形成的导通路径与所述像素电路的驱动端电连接;其好了吧!
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三星申请半导体装置专利,提供一种包括可变电阻图案的半导体装置和...金融界2024年3月22日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“包括可变电阻图案的半导体装置和包括其的电子系统“公开号CN117750781A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示,提供了一种包括可变电阻图案的半导体装置和包括其的电子系统。所述半导体装等我继续说。
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英飞凌科技加拿大公司申请具有可变晶格参数差异的超晶格外延结构...金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,英飞凌科技加拿大公司申请一项名为“具有可变晶格参数差异的超晶格外延结构”的专等会说。 通过改变晶格参数之间的差异,可以利用增加垂直穿过超晶格外延结构看到的电阻的效果来设计在该水平承受的应变,从而允许该结构更薄和/或等会说。
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灿芯股份申请一种应用于接收机电路的高带宽可变增益放大器,显著...本发明公开了一种应用于接收机电路的高带宽可变增益放大器,属于光纤通信等系统中的接收机部分电路技术领域,该高带宽可变增益放大器包括可变电阻串R3、R4 和宽带差分运算放大器;其中,宽带差分运算放大器包括输入端INP、INN 和输出端OUTP、OUTN,而可变电阻串R3 的一端好了吧!
小米申请充电电路及终端设备等专利,提高充电效率本公开是关于一种充电电路及终端设备、充电方法及装置,所述充电电路包括:充电芯片,与电池连接,用于采集电池内阻;电池,包括可变电阻、电量计和电芯,所述电量计用于采集电池参数,所述可变电阻用于调节所述充电芯片采集到的电池内阻,所述可变电阻的阻值与所述电量计采集到的电等会说。
芯合电子取得一种 CAN 收发器专利,抑制 CAN 总线上的振铃现象金融界2024 年11 月12 日消息,国家知识产权局信息显示,芯合电子(上海)有限公司取得一项名为“一种CAN 收发器”的专利,授权公告号CN 221978960 U,申请日期为2023 年12 月。专利摘要显示,本申请提供了一种CAN 收发器,包括:第一二极管、第一可变电阻、第二可变电阻、第三是什么。
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