半导体工艺步骤详解
2025年中国泛半导体废气治理行业工艺生产流程及相关政策背景刻蚀和薄膜工艺。主要废气包括、酸性、碱性、有机和工艺废气，主要存在清洗、氧化、干法腐蚀、离子注入、沉积等步骤中，主要污染物有盐后面会介绍。 华经产业研究院整理本文节选自华经产业研究院发布的《2022年中国泛半导体废气治理趋势分析，晶圆等支出居高位，国产化替代加速「图」》..
...存储申请半导体结构及其制备方法专利,简化制备半导体结构的工艺步骤第二部，第一部穿过第二介质层和第一介质层与第二导电结构的顶表面电接触，第二部位于第二介质层上；电容结构，电容结构位于阵列区，电容结构穿过第一介质层与第一导电结构的顶表面电接触本公开实施例所提供的半导体结构及其制备方法至少可以简化制备半导体结构的工艺步骤。
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韩国半导体厂商研发 ALD 新技术,降低 EUV 工艺步骤需求IT之家7 月16 日消息，韩媒The Elec 报道，韩国半导体公司周星工程(Jusung Engineering)最新研发出原子层沉积(ALD)技术，可以在生产先进工艺芯片中降低极紫外光刻(EUV)工艺步骤需求。IT之家注：极紫外光刻(EUV)又称作超紫外线平版印刷术，是一种使用极紫外光波长的光刻技术，目前后面会介绍。
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韩国半导体公司周星工程研发ALD新技术 降低EUV工艺步骤需求据韩媒The Elec,韩国半导体公司周星工程(Jusung Engineering)最新研发出原子层沉积(ALD)技术，可以在生产先进工艺芯片中降低极紫外光刻(EUV)工艺步骤需求。周星工程董事长Chul Joo Hwang表示，当前DRAM和逻辑芯片的扩展已达到极限，因此需要像NAND一样，通过堆叠晶体管的方说完了。
长鑫存储申请半导体结构及其制备方法、存储器专利,专利技术能改善...环绕第一绝缘层的第二绝缘层，及位于第一绝缘层与第二绝缘层之间的牺牲侧墙；去除牺牲侧墙以形成绝缘间隙。上述半导体结构制备方法能够改善导电立柱的沉积难度并避免产生缝隙，并简化工艺步骤。另外，通过此方法形成绝缘间隙能够减小器件的寄生电容并提高存储器的整体性能。..
长鑫存储取得半导体器件及其制造方法专利,使得第一器件区域与第二...金融界2024年2月10日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体器件及其制造方法“授权公告号CN113809好了吧！ 本申请使得第一器件区域与第二器件区域的高k栅介电层的介电常数不同的工艺步骤较少，生产成本低。本文源自金融界
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物元半导体申请晶圆加工工艺中减小翘曲度的专利,解决晶圆加工翘曲...金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，物元半导体技术(青岛)有限公司申请一项名为“晶圆加工工艺中减小翘曲度的方法”的专利，公开号CN 118943074 A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示，本发明涉及一种晶圆加工工艺中减小翘曲度的方法，包括以下步骤：对晶圆正后面会介绍。
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鼎龙股份:随着半导体产业规模增长和制程工艺进步,CMP 材料市场规模...公司回答表示：随着半导体产业规模的增长和制程工艺的进步、芯片堆叠层数的增加，抛光步骤和CMP耗材用量将会增加，CMP材料市场规模有望进一步扩大。此外，在半导体先进封装领域，国内先进封装技术处于发展阶段，技术工艺的升级往往会伴随着材料端的升级与需求的提升，公司围绕是什么。
意法半导体宣布联手三星推出 18nm FD-SOI 工艺,支持嵌入式 PCMIT之家3 月21 日消息，意法半导体(STMicroelectronics)宣布与三星联合推出18nm FD-SOI 工艺。该工艺支持嵌入式相变存储器(ePCM)。IT之家注：FD-SOI 即全耗尽型绝缘体上硅，是一种平面半导体工艺技术，可以较简单的制造步骤实现优秀的漏电流控制。意法半导体表示，相较于其现在使还有呢？
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斯瑞新材申请半导体用CVD反应腔氩弧焊工艺及工装专利,避免焊接时...金融界2024年3月11日消息，据国家知识产权局公告，陕西斯瑞新材料股份有限公司申请一项名为“一种半导体用CVD反应腔氩弧焊工艺及工装“公开号CN117655470A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种半导体用CVD反应腔氩弧焊工艺，包括以下步骤：S1、清洗：后面会介绍。
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