什么是有源区_什么是有源单口网络
中芯国际取得一种有源区隔离测试结构及形成方法、半导体器件专利金融界2024年11月27日消息,国家知识产权局信息显示,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、中芯国际集成电路制造(北京)有限公司取得一项名为“一种有源区隔离测试结构及形成方法、半导体器件”的专利,授权公告号CN 113284879 B,申请日期为2020年2月。
1、有源区什么意思
2、什么叫有源
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京东方A申请纳米线专利,可解决有源区面积较大问题可解决有源区面积较大问题。纳米线制备方法包括:在衬底的第一表面制备绝缘层;在绝缘层背离衬底的表面形成具有引导沟槽的沟槽层;引导沟槽的宽度是指定粒径的诱导颗粒的粒径的0.8~1.2倍;在引导沟槽内制备诱导颗粒;在沟槽层背离衬底的表面制备析出层;对析出层进行处理,使析出等会说。
3、有源区和无源区
4、什么叫做有源场
台积电取得半导体器件及其形成方法专利,半导体器件包括有源区和...金融界2024年4月15日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体器件及其形成方法“授权公告号CN113809077B,申请日期为2021年8月。专利摘要显示,公开了一种半导体器件及其形成方法,半导体器件包括:有源区;第一、第二和第三金属到漏极还有呢?
5、有源区和无源区分别满足什么方程
6、有源区od
长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利,减少或消除有源区的桥接...且相邻掩膜桥之间的间隔暴露出支撑结构的部分顶表面;基于掩膜结构刻蚀衬底和支撑结构,形成第二沟槽;去除支撑结构,以使第一沟槽和第二沟槽相连通为隔离槽;形成填充隔离槽的隔离结构,隔离结构在衬底中分隔出多个有源区。本公开可以减少或消除有源区的桥接缺陷,利于提升半导体小发猫。
7、什么是有源和无源元件
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8、有源区的作用
...申请半导体器件及其制作方法专利,提高第一有源结构临界尺寸的均匀性金融界2024年12月2日消息,国家知识产权局信息显示,福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体器件及其制作方法”的专利,公开号CN 119050113 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本申请提供一种半导体器件及其制作方法,涉及半导体技术领域,用于解决有源区临界尺等我继续说。
美的电子申请三相 BUCK 有源 PFC 电路相关专利,降低成本和器件损耗...金融界2024 年9 月18 日消息,天眼查知识产权信息显示,佛山市顺德区美的电子科技有限公司, 广东美的制冷设备有限公司申请一项名为“三相BUCK 有源PFC 电路的驱动信号生成方法及用电设备“公开号CN202410865541.4,申请日期为2024 年6 月。专利摘要显示,本发明公开了等我继续说。
珠海镓未来申请具有环状电极结构的半导体器件及其制作方法专利,...半导体器件主要是在外延结构的有源区外围设置隔离区,并在有源区用栅极将源极包围起来,相邻电极组的源极为不同电位的电极,最上端和最下端的电极组中的源极也为不同电位的电极,而在隔离区设置有至少一圈金属环结构和至少一个离子注入区域,这样通过金属环结构及离子注入区域是什么。
华羿微电取得一种宽 SOA 屏蔽栅 MOSFET 器件及制备方法专利,提升...通过在器件有源区中间隔错位或者平行排列而形成沟槽宽度和接触孔宽度的不同版图布局,该布局是通过光刻的方式在器件有源区中间隔错位或者平行排列形成沟槽和接触孔不同宽度,使得该区域拥有更窄的沟槽到接触孔距离,从而在接触孔注入后形成该区域与其他区域不同的浓度梯度,等我继续说。
台积电申请具有单元区的半导体器件及其形成方法专利,公开了一种...金融界2024年6月7日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“具有单元区的半导体器件及其形成方法“公开号CN202410178477.2,申请日期为2024年2月。专利摘要显示,一种半导体器件的单元区包括:在衬底上形成为预定形状的有源区(AR),所述有是什么。
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雷电微力2024年1-9月净利润为3.74亿元,较去年同期增长41.44%位于四川省成都高新区益新大道288号石羊工业园,是一家以从事毫米波有源相控阵微系统研发、制造、测试和销售为主的企业。企业注册资本2.44亿人民币,法人代表为桂峻。通过天眼查大数据分析,成都雷电微力科技股份有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目8次;知识产权方小发猫。
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