器字的结构是什么_器字的结构-上海傲慕捷网络科技有限公司

长鑫存储取得半导体储存器结构及其字线制造方法专利,采用新技术...金融界2024年5月8日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体储存器结构及其字线制造方法“授权公告号CN110534480B,申请日期为2018年5月。专利摘要显示，本发明提供一种半导体储存器结构及其字线制造方法，该制造方法在衬底中制备出多重式的说完了。

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...申请超长指令字处理器的指令发射方法及发射装置专利,具有硬件结构...金融界2024年10月17日消息，国家知识产权局信息显示，湖南毂梁微电子有限公司申请一项名为“超长指令字处理器的指令发射方法及发射装置等会说。步骤S4:对步骤S3每条激活处理的指令进行运算单元选择，将指令输出至对应的运算部件。该装置用来实施上述方法。本发明具有硬件结构简单等会说。

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长江存储申请制作三维存储器的字线连接区的方法及三维存储器专利,...长江存储科技有限责任公司申请一项名为“制作三维存储器的字线连接区的方法及三维存储器”的专利，公开号CN 118785714 A,申请日期为2018年6月。专利摘要显示，本发明涉及一种形成三维存储器的字线连接区的方法及三维存储器。该方法包括以下步骤：提供半导体结构，半导体结还有呢？

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长鑫存储取得半导体存储器件结构及其制作方法专利,降低了工艺复杂...金融界2024年4月1日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体存储器件结构及其制作方法“授权公告号CN107994018B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示，本发明提供一种半导体存储器件结构及其制作方法，存储器件结构包括半导体衬底、字线结还有呢？

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长鑫存储申请存储器结构、半导体结构及其制备方法专利,能够避免...金融界2024年2月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“存储器结构、半导体结构及其制备方法“公开号CN117542834A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本申请涉及一种存储器结构、半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括衬底及字线结构后面会介绍。

长鑫存储取得半导体储存器的晶体管结构及其制造方法专利,降低了...长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体储存器的晶体管结构及其制造方法“授权公告号CN110299324B,申请日期为2018年3月。专利摘要显示，本发明提出一种半导体储存器的晶体管结构及其制造方法，该方法包括：在衬底上形成有源区及与之相交的字线；在两个字线之间形成接触小发猫。

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长江存储申请用于三维存储器装置的阶梯连接结构专利,可提升存储器...长江存储科技有限责任公司申请一项名为“用于三维存储器装置的阶梯连接结构”的专利，公开号CN 118843314 A,申请日期为2023 年4 月。专利摘要显示，一种存储器装置可以包括第一区域中的沟道结构。存储器装置还可以包括在邻接第一区域的第二区域中的多个字线腔体结构。多还有呢？

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金卡智能取得一种基于电容量判断字轮位置的计数结构专利,具有无...金卡智能集团股份有限公司取得一项名为“一种基于电容量判断字轮位置的计数结构“授权公告号CN109540178B,申请日期为2018年12月。专利摘要显示，本发明涉及计量计数技术领域，尤其涉及一种基于电容量判断字轮位置的计数结构。它包括计数器及控制器，计数器包括计数器架及等会说。

长鑫存储申请半导体结构及其形成方法、存储器专利,专利技术能减少...长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、存储器“公开号CN117677183A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器。本公开的半导体结构包括衬底、字线结构、导电接触结构及缓冲层，其小发猫。

长鑫存储申请半导体结构及其形成方法、存储器专利,专利技术能降低...长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、存储器“公开号CN117677178A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示，本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，本公开的半导体结构包括衬底及字线结构，其中：衬底包括阵列区和外围区好了吧！

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