官方光刻机最新消息

上海赐兴取得扫描式光刻机架构专利,保证了掩膜台与硅片工作台在...金融界2024年11月8日消息,国家知识产权局信息显示,上海赐兴微电子技术有限公司取得一项名为“一种扫描式光刻机架构”的专利,授权公告号CN 221960406 U,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本实用新型提供一种扫描式光刻机架构,掩膜台通过联动气浮装置的联动架组构造在等我继续说。

协伟取得一种用于安装高精密光刻机的基础座专利,满足高精密光刻机...金融界2024年11月8日消息,国家知识产权局信息显示,协伟集成电路设备(上海)有限公司取得一项名为“一种用于安装高精密光刻机的基础座”的专利,授权公告号CN 221960411 U,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本实用新型公开了一种用于安装高精密光刻机的基础座,包括主机台等我继续说。

协伟取得防微振等级可达 VC-D 级的光刻机基础座专利,防微振等级...金融界2024 年11 月8 日消息,国家知识产权局信息显示,协伟集成电路设备(上海)有限公司取得一项名为“一种防微振等级可达VC-D 级的光刻机基础座”的专利,授权公告号CN 221960410 U,申请日期为2024 年4 月。专利摘要显示,本实用新型公开了一种防微振等级可达VC‑D 级的好了吧!

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联合光电:关于获得上海微电40后台道line线光刻机订单的问题不便透露金融界11月8日消息,有投资者在互动平台向联合光电提问:董秘你好,据悉,公司已经获得了上海微电40后台道line线光刻机订单,是否属实?公司回答表示:基于商业保密原则,涉及与具体企业合作的问题,公司不便透露。若未来相关事项进展达到披露标准,公司会及时在指定信息披露媒体履行是什么。

消息称三星将于2025年初从ASML引进High-NA EUV光刻机10月30日消息,据ET News,有报道援引消息人士称,三星电子将从ASML引进首台High-NA EUV光刻机EXE:5000,预计2025年初到货。半导体设备安装通常需要较长测试时间,该光刻机预计最快2025年中旬开始运行。High-NA EUV为2纳米以下先进制程所需设备,韩国业界预期,三星也将正等我继续说。

消息称三星电子 2025 年初引进其首台 ASML High NA EUV 光刻机IT之家10 月30 日消息,韩媒ETNews 当地时间昨日报道称,三星电子已决定2025 年初引进其首台ASML High NA EUV 光刻机,正式同英特尔、台积电展开下代光刻技术商业化研发竞争。三星电子此前同比利时微电子研究中心imec 合作,在后者与ASML 联手建立的High NA EUV 光刻实等会说。

同兴达:昆山子公司投入上海微电子生产的光刻机,对公司业绩有积极影响金融界11月6日消息,有投资者在互动平台向同兴达提问:贵公司是否采购上海微电子生产的光刻机?对公司业务有何影响?公司回答表示:我司昆山子公司已投入该设备,并且已用于实际生产,目前运行良好,对公司业绩有积极影响。

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TechInsights:预计 ASML High NA EUV 光刻机功耗约 1400 千瓦IT之家11 月4 日消息,TechInsights 在当地时间10 月24 日的分析中表示,每台ASML 0.33 NA EUV 光刻机的功耗就已经达到了1170 kW,而0.55NA (High NA) 光刻机的功耗预计将进一步增长至1400 kW(IT之家注:大致与1000 台满载运行的电火锅相当)。▲ ASML 0.33 NA EUV 光刻机根还有呢?

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粤芯半导体申请光刻机对准方法专利,平衡晶圆中切割道与芯片的研磨...金融界2024年10月31日消息,国家知识产权局信息显示,粤芯半导体技术股份有限公司申请一项名为“一种光刻机对准方法”的专利,公开号CN 118838133 A,申请日期为2024年9月。专利摘要显示,本申请公开了一种光刻机对准方法,涉及半导体制造技术领域。该方法包括:提供一包含对准等我继续说。

消息称三星得州工厂推迟接收 ASML EUV 光刻机,因为没有订单客户最新报道援引两名消息人士的话称,延迟向三星泰勒工厂发货涉及ASML 的先进芯片制造设备——极紫外(EUV)光刻机。其中一名消息人士表示,这些机器原定于今年早些时候交付,但尚未发货。目前尚不清楚三星订购了多少台EUV 机器,也不清楚它签订了什么付款条款。ASML 和三星还有呢?

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