专利申请的方法及步骤_专利申请的方法

...百科技获得发明专利授权:“宽分布无钴富锂锰基前驱体及其制备方法”新获得一项发明专利授权,专利名为“宽分布无钴富锂锰基前驱体及其制备方法”,专利申请号为CN202310353801.5,授权日为2024年12月24日。专利摘要:本申请涉及电池材料领域,特别涉及一种宽分布无钴富锂锰基前驱体及其制备方法。该制备方法包括以下步骤:配置沉淀剂溶液、络等我继续说。

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...电子获得发明专利授权:“一种半导体用低氧粉末冶金钽靶的制备方法”新获得一项发明专利授权,专利名为“一种半导体用低氧粉末冶金钽靶的制备方法”,专利申请号为CN202311046387.X,授权日为2024年12月24日。专利摘要:本发明提供一种半导体用低氧粉末冶金钽靶的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:(1)将钽粉原料经脱氢处理后,进行氢气还原,得等会说。

...获得发明专利授权:“基于分布式的金融系统非功能测试的方法及系统”新获得一项发明专利授权,专利名为“基于分布式的金融系统非功能测试的方法及系统”,专利申请号为CN202411406215.3,授权日为2024年12月24日。专利摘要:本发明涉及分布式系统测试技术领域,尤其涉及基于分布式的金融系统非功能测试的方法及系统。所述方法包括以下步骤:对还有呢?

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...专利授权:“自动修改数据库集群中表结构的方法、装置及存储介质”新获得一项发明专利授权,专利名为“自动修改数据库集群中表结构的方法、装置及存储介质”,专利申请号为CN202210560523.6,授权日为2024年12月24日。专利摘要:本发明涉及自动修改数据库集群中表结构的方法、装置及存储介质,包括:配置数据库集群信息,根据预设的步骤检查所还有呢?

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...专利授权:“一种基于生成对抗模型的插座面板瑕疵在线检测方法及...新获得一项发明专利授权,专利名为“一种基于生成对抗模型的插座面板瑕疵在线检测方法及装置”,专利申请号为CN202410299167.6,授权日为2024年12月24日。专利摘要:一种基于生成对抗模型的插座面板瑕疵在线检测方法及装置,包括以下步骤:获取第一面板图像和/或第二面板图像好了吧!

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...测控获得发明专利授权:“一种基于天基光学测量数据处理与识别方法”新获得一项发明专利授权,专利名为“一种基于天基光学测量数据处理与识别方法”,专利申请号为CN202411287804.4,授权日为2024年12月20日。专利摘要:本发明公开了一种基于天基光学测量数据处理与识别方法,包括以下步骤:S1,读取天基光学数据;S2,判断数据是否合理,不合理进行说完了。

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纽威数控获得发明专利授权:“一种立式加工中心横梁结构设计方法...新获得一项发明专利授权,专利名为“一种立式加工中心横梁结构设计方法以及横梁结构”,专利申请号为CN202410837980.4,授权日为2024年12月20日。专利摘要:本发明公开了一种立式加工中心横梁结构设计方法,属于机床领域,包括以下步骤:建立横梁有限元分析模型;根据各零件间的好了吧!

利尔化学获得发明专利授权:“氯虫苯甲酰胺或溴氰虫酰胺的制备方法”证券之星消息,根据天眼查APP数据显示利尔化学(002258)新获得一项发明专利授权,专利名为“氯虫苯甲酰胺或溴氰虫酰胺的制备方法”,专利申请号为CN202210479157.1,授权日为2024年12月20日。专利摘要:本发明提供了氯虫苯甲酰胺或溴氰虫酰胺的制备方法,其包括以下步骤:在添小发猫。

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...石化获得发明专利授权:“适合于致密砂岩地层的井震频散校正方法”新获得一项发明专利授权,专利名为“适合于致密砂岩地层的井震频散校正方法”,专利申请号为CN202110509081.8,授权日为2024年12月20日。专利摘要:本发明提供一种适合于致密砂岩地层的井震频散校正方法,该适合于致密砂岩地层的井震频散校正方法包括:步骤1,选取目标储层岩心后面会介绍。

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...申请两亲性防污涂料及其制备方法专利,制备步骤简单且反应条件温和中国水利水电第十一工程局有限公司申请一项名为“一种两亲性防污涂料及其制备方法”的专利,公开号CN 119039878 A,申请日期为2024年8小发猫。 (PVP)分子,通过硅烷缩合形成的化合键将PVP与有机硅基体结合;与现有技术中制备羟基封端的聚乙烯基吡咯烷酮相比,步骤简单,反应条件温和小发猫。

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